Вверх
9 Октября 2017 г.903

Участие представителей РГРТУ в XXIII Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2017)

emblema vip_201721-25 августа 2017 г. в Москве прошла XXIII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2017), посвященная изучению фундаментальных процессов и явлений, происходящих при ионной бомбардировке твердых тел.

Конференция проводится с середины 70-х годов прошлого века с периодичностью один раз в два года, и ее тематика охватывает все основные вопросы, связанные с облучением твёрдого тела: внедрение и торможение ионов и возникновение радиационных повреждений; распыление; ионно-электронная и вторичная ионная эмиссия; испускание света при ионном воздействии; ионно-индуцированные процессы в тонких пленках и наноструктурах; взаимодействие плазмы с поверхностью. На конференции также рассматривались работы, имеющие прикладную направленность в материаловедении, микро- и наноэлектронике, аналитическом приборостроении и аэрокосмической области.

На конференции выступили ведущие ученые и специалисты из России, Франции, Бельгии, Германии, Финляндии, Португалии, Сербии, ЮАР и других стран, включая одного из основоположников («патриархов») этой области науки Питера Зигмунда из Дании.

Рязанский государственный радиотехнический университет представил 3 доклада, включая 2 стендовых - «Влияние потенциалов поверхности на взаимодействие ионов с поверхностью» (докладчик проф. С.С. Волков, соавторы А.А. Аристархова, Ю.Е. Дмитревский, Т.И. Китаева, С.В. Николин, Н.Л. Пузевич и др.) и «Электрический взрыв металла в импульсном магнитном поле для напыления покрытий» (докладчик доц. Г.П. Гололобов, соавторы А.Н. Власов, М.В. Дубков, М.А. Буробин, Д.В. Суворов и М.П. Серпова), а также обзорный доклад «Источники ионов на основе современных ионно-проводящих материалов для аналитического и технологического применения» (докладчик в.н.с., доцент А.Б. Толстогузов, соавторы С.Ф. Белых, Г.П. Гололобов, В.С. Гуров, А.А. Лозован, Д.В. Суворов, А.И. Таганов, D.J. Fu и O.M.N.D. Teodoro). Последний доклад был сделан по приглашению Оргкомитета – всего на конференции было 22 приглашенных доклада, в том числе только 2 от России, один из которых от РГРТУ. Доклад по источникам ионов был представлен на секции «Ионная имплантация и модификация поверхности ионными пучками» и вызвал большой интерес слушателей, в первую очередь зарубежных. Отметим, что А.Б. Толстогузов был одним из председателей этой секции.

obshchaya fotografiya_uchastnikov_vip_2017

vystuplenie a.b.tolstoguzova

Рязанский государственный радиотехнический университет - Участие представителей РГРТУ в XXIII Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2017)