Персональный компьютер (5 шт.)

ЦП: AMD Ryzen 3 3200G with Radeon Vega Graphics,
ОЗУ: 8 Гб,
ПЗУ: 1150 Гб,
ПО: LabVIEW.

Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники»,«Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования свойств магнитных материалов

Полоса пропускания: 0 МГц — 50 МГц;
Время нарастания ПХ: не более 9 нс;
Средний радиус образца: 1,9×10^-2 м;
Плотность материала образца: 8,9×10³ кг/м³;
Число витков первичной обмотки: 1200;
Число витков вторичной обмотки: 800;
Площадь сечения: 0,42×10^-4 м².

Позволяет исследовать зависимости магнитной проницаемости от температуры, напряженности и частоты магнитного поля, а также зависимости мощности потерь на вихревые токи и гистерезис от частоты. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования свойств сегнетоэлектрических материалов

Диапазон измерения переменного напряжения: 0,1 мВ — 300 В;
Частотный диапазон: 20 Гц — 10 МГц;
Емкость образца: 10^-6 Ф;
Диаметр образца: 1, 75 см;
Высота образца: 0,06 см.

Позволяет производить измерение эффективной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для изучения явлений поляризации и диэлектрических потерь

Диапазон частот генератора прибора от 50 кГц до 35 МГц разбит на 8 поддиапазонов:
1. 50 — 130 кГц; 2. 130 – 350 кГц; 3. 350 – 950 кГц; 4. 0,95 – 2,6 Мгц; 5. 2,6 – 6,0 Мгц; 6. 6,0 – 14 Мгц; 7. 14 — 22 МГц; 8. 22 – 35 Мгц;
Перекрытие по частоте поддиапазона генератора: не менее 2 %;
Погрешность градуировки генератора по частоте в оцифрованных точках не превышает ± 1 %;
Диапазон непосредственного отсчета добротности от 5 до 600 единиц перекрывается тремя шкалами: 60, 200, 600.

Позволяет проводить измерение относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь электроизолирующих материалов. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для изучения термоэлектрических явлений в твердых телах

Диапазон изменения температуры: 20 – 200 ⁰С;
Диапазон измерений напряжения: от 0 до 200 В;
Время установления рабочего режима: не более 30 мин.

Позволяет получить температурную зависимости термо-ЭДС в полупроводниках. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования диода Шоттки методом вольт-фарадных характеристик

Диапазоны измеряемых величин:
1. Напряжение постоянного тока: 10^-4 В — 1000 В;
2. Напряжение переменного тока:
в диапазоне частот от 20 Гц до 20 кГц: 10^-4 В — 300 В;
в диапазоне частот от 20 Гц до 1 кГц, без внешнего делителя 1:1000: 10^-4 В — 600 В;
в диапазоне частот от 20 Гц до 1 кГц с внешним делителем 1:1000: 300 В — 1000 В;
в диапазоне частот от 20 кГц до 100 МГц с высокочастотным преобразователем: 0,1 В — 1,2 В;
в диапазоне частот от 20 кГц до 30 МГц с высокочастотным преобразователем: 0,1 В — 12 В.

Позволяет произвести изучение свойств барьерной емкости, а также методов измерение и анализа вольт-фарадных характеристик структуры металл-полупроводник. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для изучения механизма переноса носителей заряда в полупроводниковых диодах

Максимальное напряжение между измерительным входом и землей: 1000 В для постоянного или переменного тока;
Диапазоны измерений:
1. Постоянное напряжение: 50 мВ (погрешность - ±(0,03 % +10), 500 мВ/ 5 В/ 50 В/ 500 В/ 1000 В погрешность - ±(0,03 % +6);
2. Переменное напряжение: 50 мВ (погрешность - ±(0,03 % +10), 500 мВ/ 5 В/ 50 В/ 500 В/ 1000 В погрешность - ±(0,03 % +6).

Позволяет проводить исследование вольт-амперных характеристик (ВАХ) диода при прямом и обратном смещениях, исследование влияния температуры на ВАХ. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования эффекта Холла в полупроводниковых материалах

Ток в образце: не более 1,5 мА;
Сопротивление образца: 7,5 Ом;
Ширина образца: 4,7 мм;
Толщина образца: 4,7 мм;
Для точного измерения тока используется потенциометр ППТВ-1.

Позволяет проводить изучение эффекта Холла в полупроводниковых материалах на основании экспериментальных измерений ЭДС Холла и определения концентрации основных носителей заряда и холловской подвижности. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для изучения влияния освещенности и температуры на электропроводность полупроводников

Диапазон изменения температуры: от 20 до 100 ⁰С;
Напряжение, подаваемое на осветительную лампу: от 0 до 220 В.

Позволяет проводить измерение зависимости электропроводности полупроводников от освещенности и температуры. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования характеристик пьезоэлемента

Характеристики милливольтметра:
Диапазон измерения переменного напряжения: 0,1 мВ — 300 В;
Частотный диапазон: 20 Гц — 10 МГц.
Характеристики генератора сигналов:
Диапазон частот: от 20 Гц до 20000 Гц;
Погрешность генератора по частоте: ± (0,02F+1) Гц;
Номинальная выходная мощность: 0,5 Вт;
Максимальная выходная мощность: 5 Вт.

Позволяет произвести ознакомление со свойствами пьезоэлемента на основе сегнетоэлектрика. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для измерения диффузионной длины и времени жизни неосновных неравновесных носителей заряда в полупроводниках

Характеристики милливольтметра:
Диапазон измерения переменного напряжения: 0,1 мВ — 300 В;
Частотный диапазон: 20 Гц — 10 МГц;
Характеристики осциллографа:
Вертикальное отклонение
Полоса пропускания: 0 МГц-50 МГц;
Время нарастания ПХ: не более 9нс;
Коэффициент отклонения: 0,01В/дел., 2В/дел., 5В/дел., 10В/дел.

Предназначен для определения диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых структурах. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для изучения электропроводности полупроводниковых материалов путем определения удельного сопротивления и знака свободных носителей заряда в образце полупроводника

Имеется возможность перемещать зонд по поверхности с точностью до 0,1 мм;
Для нагревания одной стороны образца используется температура 50 – 70 ⁰С, чтобы произвести определение типа проводимости полупроводниковой структуры методом термозонда;
Падение напряжения на эталонном сопротивлении определяется с помощью потенциометра ППТВ.

Предназначен для определения удельного сопротивления полупроводников компенсационным методом. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Лабораторный стенд для исследования вольт-амперных характеристик диода Шоттки

Диапазоны измерения универсального вольтметра B7-20:
- напряжение постоянного тока 1×10^-6-10³ В;
- сила постоянного тока 1×10^-11 -10 А;
- напряжение переменного тока 1×10^-5 -10³ В;
- сила переменного тока 1×10^-6 -1 А;
Сопротивление нагрузочного резистора: 400 Ом;
В качестве источника напряжения используется универсальный источник питания АКТАКОМ APS-2236.

Предназначен для анализа механизмов переноса носителей заряда через контакт, исследования вольт-амперных характеристик (ВАХ) диода Шоттки при прямом и обратном смещениях. Используется при проведении лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Интеллектуальные материалы и структуры в электронике», «Материаловедение и защита от коррозии».

Моноблок Apple iMac 8,1 (2 шт.)

ЦП: Intel Core 2 Duo,
ОЗУ: 1 Гб,
ПЗУ: 240 Гб,
ПО: NanoEducator.

Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Методы анализа наносистем».

Сканирующий зондовый микроскоп NanoEducator (2шт.)

Область сканирования: 70×70×10 мкм (10%),
Нелинейность сканера: 5%,
Минимальный шаг: 1 Å,
Число точек в кадре: 1024×1024 (при оперативной памяти 64 Мб),
Диапазон токов СТМ: от 100 пА до 200 нА.

Позволяет визуализировать, диагностировать и модифицировать вещество с нанометровым уровнем пространственного разрешения. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Методы анализа наносистем».

Микроскоп МБС-9

Увеличение: 3,33—100 крат.,
Линейное поле зрения: 39,3 — 2,4 мм,
Рабочее расстояние микроскопа: 64 мм,
Источник света — лампа: 8 В, 20 Вт,
Габариты прибора в рабочем положении (без подлокотников и осветителя): не более 230×190×420 мм.

Предназначен для наблюдения как объемных предметов, так и тонких пленочных и прозрачных объектов. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Методы анализа наносистем».

Спектрофотометр СФ-26 (2 шт.)

Спектральный диапазон измерений: от 190 до 1100 нм,
Относительное отверстие монохроматора: 1:11,
Диспергирующий элемент - вогнутая дифракционная решетка с переменным шагом и криволинейным штрихом,
Фокусное расстояние: 250 мм,
Число штрихов на 1 мм: 600,
Рабочий порядок: первый,
длина волны максимальной концентрации энергии: 320 нм,
размер заштрихованной площади: 60 × 50 мм,
Диапазон измерения спектральных коэффициентов пропускания: от 1 до 100%.

Позволяет определить коэффициент пропускания твердых тел и жидкостей. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Оптоэлектроника и квантовая оптика».

Вольтметр универсальный В7-21А (2 шт.)

Диапазоны измерения:
- напряжение постоянного тока 1×10^-6-10³ В;
- сила постоянного тока 1×10^-11 -10 А;
- напряжение переменного тока 1×10^-5 -10³ В;
- сила переменного тока 1×10^-6 -1 А;
- активное сопротивление 1×10^-2 -1,2×10⁷ Ом;
- частота измеряемых напряжений переменного тока 20-1×10⁵ Гц;
- частота измерения силы переменного тока 20-20×10³ Гц.

Предназначен для измерения напряжения и силы постоянного тока, напряжения и силы переменного тока.

Персональный компьютер (10 шт.)

ЦП: Intel® Pentium® Dual CPU E2160,
ОЗУ: 2 Гб,
ПЗУ: 150 Гб,
ПО: MicroCap 12.

Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Функциональные узлы электронных устройств».

Лабораторный стенд для измерения характеристик резистивных и гальванических датчиков температуры

Диапазон изменения температуры: от 20 до 100 ⁰С;
Максимальная мощность рассеяния: 560 мВт;
Температурный коэффициент сопротивления: - (2,4 – 5,0) %/⁰С;
Коэффициент температурной чувствительности: 2060 — 4300 К;
Диапазоны измерения вольтметра:
- напряжение постоянного тока 1×10^-6-10³ В;
- сила постоянного тока 1×10^-11 -10 А;
- напряжение переменного тока 1×10^-5 -10³ В;
- сила переменного тока 1×10^-6 -1 А.

Позволяет измерять зависимость сопротивления резистивного датчика и ЭДС гальванческого датчика от температуры. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Современные твердотельные датчики».

Лабораторный стенд для измерения характеристик тензодатчиков

Модуль упругости консоли, сделанной из полустирола Y: 3 — 3,5 × 10⁹ Па;
Выходное напряжение блока калибровочного напряжения: 9,1±0,5 В;

Позволяет измерить переходную характеристику тензорезистора. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Современные твердотельные датчики».

Лабораторный стенд для изучения эффекта Холла

Диапазон изменения напряжения: от 0 до 50 В;
Диапазон измерений:
- без ДНВ от 0,01 мВ до 1 кВ;
- с ДНВ от 1 до 30 кВ.

Позволяет измерить зависимость ЭДС Холла от индукции магнитного поля. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Современные твердотельные датчики».

Лабораторный стенд для изучения принципов работы приборов с отрицательным сопротивлением

Пределы измерения тока в цепи коллектора полупроводникового прибора: 1 мкА — 16 А;
Пределы измерения начального и обратного тока: 2 нА — 16 мА;
Порог срабатывания защиты: 70 — 90 Вт;
Время самопрогрева: не более 30 мин;

Позволяет измерить зависимость ВАХ приборов с отрицательной обратной связью от температуры. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Современные твердотельные датчики».

Лабораторный стенд для изучения пироэлектрических свойств материалов

Угол поля зрения: > 90 град;
Частота модуляции потока излучения: > 70 кГц;
Порог в единичной полосе частот: < 3 × 10^-9 Вт/Гц^1/2;
Коэффициент нелинейности вольтовой чувствительности: <±10%;
Диапазон рабочих температур: от -45 до 55   ⁰С;
Диапазон измерения переменного напряжения: 0,1 мВ — 300 В;
Частотный диапазон: 20 Гц — 10 МГц.

Позволяет измерить термоЭДС пироэлектрического датчика. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Современные твердотельные датчики».

Лабораторный стенд для изучения принципов снижения нелинейных погрешностей в интегральных датчиках физических величин

Напряжение питания: 9 В;
Диапазон измеряемых температур: 0 - 100 ºС;
Нелинейность преобразования температуры: 
– в диапазоне 0 - 100 ^оС
≤ 0,5 ˚С,
– в диапазоне 36 - 47 ^оС
≤ 0,05 ˚С;
Разрешающая способность: не хуже 0,05 ˚С;
Полоса пропускания в рабочем диапазоне температур: 0,02 Гц.

Позволяет измерить передаточную характеристику транзисторного и интегрального датчиков температуры. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Современные твердотельные датчики».

Лабораторный стенд для исследования работы терморезистивного анемометра

Пределы номинального сопротивления терморезистора при 20 ⁰С: 33 кОм;
Допуск терморезистора: не более 20 %;
Выходное напряжение источника питания: 2×0 — 30 В;
Выходной ток: 2×0 — 3 А.

Позволяет измерить скорость потока воздуха. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Современные твердотельные датчики».

Лабораторный стенд для изучения принципов работы акустических датчиков

Диапазон воспроизводимых частот: 20 — 20000 Гц, ± 2,5 дБ;
Чувствительность в свободном поле, без нагрузки (1 кГц): 5 мВ/Па, ± 2,5 дБ;
Номинальное полное сопротивление: 1000 Ом;
Минимальное сопротивление до обрыва: 4,7 кОм;
Диапазон частот генератора сигналов специальной формы: 0,001 Гц — 1 МГц.

Позволяет проводить измерение амплитудно-частотной характеристики акустических датчиков. Используется при проведении лабораторных работ по курсу «Современные твердотельные датчики».

Персональный компьютер (8 шт.)

ЦП: Intel(R) Core(TM) i5-3470 CPU @ 3.20GHz

ОЗУ: 8 Гб DDR3

Компьютер-сервер (1 шт.)

ЦП: x86 Family 15 Model 3 Stepping 3 Genuinelntel 3014 Mhz

ОЗУ: 768 Мб

Компьютер-сервер (1 шт.)

ЦП: x86 Family 15 Model 4 Stepping 1 Genuinelntel 2799 Mhz

ОЗУ: 512 Мб

LEGO Mindstorm NXT 2.0

32-битный процессор (ARM7, 48 МГц)

256 КБ флеш-памяти, 64 КБ ОЗУ

Встроенный Bluetooth (2.0) для беспроводного управления

4 кнопки управления + ЖК-дисплей (100×64 пикселей)

6 портов ввода (для датчиков)

3 порта вывода (для моторов)

Питание: 6 AA-батарей или аккумуляторный блок

Поддержка программирования в NXT-G (графическая среда), RobotC, Python и др.