Двухлучевой инфракрасный спектрофотометр ИКС-29

Спектральный диапазон: от 4200 см до 400 см;
Допускаемая погрешность по шкале волновых чисел: в диапазоне от 4200 см^-1 до 1000 см^-1 - ±0.001, в диапазоне от 1000 см^-1 до 400 см^-1 - ±0.0015.

Предназначен для регистрации спектров поглощения и отражения различных веществ и материалов.

Комплекс для проведения электрофизических измерений

Включает в себя:
1. Токовый DLTS-спектрометр;
2. Электрометр Keithley 6517B/E (Входное сопротивление: >200ТОм. Напряжение от 10мкВ до 200В (погрешность 0,025%). Ток от 100аА до 20мА (0.1%). Сопротивление от 10 Ом до 200ТОм (0.125%). Заряд от 10фКл до 2мкКл (0.4%). Встроенный источник напряжения от 5мВ до 1000В (0.15%), а также измерители температуры: -25...+150 С (0.3%) и влажности: 0-100% (0.3%));
3. Криостат Janis CCS 400/204N с термоконтроллером LakeShore 335 и откачным постом с турбомолекулярным насосом Pfeiffer HiCube Eco 80 (Температурный режим 7-500 К, возможность подачи внешних излучений);
4. Генератор Tektronix AFG 3102;
5. Мультиметр (U,I,R,C) Rigol DM3051;
6. Прецизионный LCR Agilent E4980A (Частота измерительного сигнала 20 Гц - 2 МГц, базовая погрешность 0.05%, встроенный источник напряжения смещения 0-40В);
7. Осциллографы Tektronix TDS2022B, TDS2022С.

Предназначен для проведения:
Метода C-V характеристик - исследование профиля распределения концентрации носителей заряда в полупроводниковых микро- и наноструктурах, исследование электрофизических свойств МДП-структур, полупроводниковых структур с квантовыми ямами, точками;
Спектроскопии низкочастотного шума - определение спектральной плотности мощности в структурах на основе полупроводниковых материалов и металлов;
Метода токовой DLTS (CDLTS) - определение параметров дефектов с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводников, исследование полупроводниковых наногетероструктур;
Метода I-V характеристик - исследование механизмов токопрохождения в полупроводниковых структурах, исследование электрических свойств диэлектриков;
Метода исследования эффекта Холла - измерение концентрации, подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах.

Осциллограф C1-64A

Вертикальное отклонение
Полоса пропускания — 0 МГц-50 МГц;
Время нарастания ПХ — не более 9нс;
Коэффициент отклонения — 0,01В/дел., 2В/дел., 5В/дел., 10В/дел.;
Режимы работы: канал 1, канал 2, прерывисто, поочередно, 1±2 (алгебраическое сложение);
Входное сопротивление и емкость С1-64А:
— 1 МОм±0,02 МОм, 25пФ±2,5пФ;
— 10 МОм±1 МОм, 12пФ — с выносным делителем 1:10;
Горизонтальное отклонение
Коэффициент развертки С1-64А — 0,005В/дел.-10В/дел.;
Калибратор;
Рабочая часть экрана — 48×80 мм;
Входное сопротивление и емкость:
— 1 МОм±0,02 МОм, 25пФ±2,5пФ — при использовании канала 1;
— 1 МОм±0,2 МОм, 35пФ — при использовании внешнего входа Х.

Предназначен для визуального наблюдения и исследования непрерывных, импульсных и однократных электрических процессов путем: измерения импульсных сигналов с длительностью от 40 нс до 10 с; измерения синусоидальных сигналов в диапазоне частот от постоянного тока до 50 МГц; измерения временных параметров от 40 нс до 10 с; измерения размаха исследуемых сигналов от 10 мВ до 60 В, а с выносным делителем — от 100 мВ до 200 В; одновременного изображения двух исследуемых сигналов на одной развертке; детального исследования любой части сложного сигнала при помощи задержанной развертки.

Осциллограф C1-98

Вертикальное отклонение Полоса пропускания — 0 МГц-50 МГц;
Время нарастания ПХ — 70 нс;
Коэффициент отклонения — 0,005В/дел., 0,01В/дел., 0,02В/дел., 0,05В/дел., 0,1В/дел., 0,2В/дел., 0,5В/дел., 1В/дел., 2В/дел., 5В/дел.; Входное сопротивление С1-98 — 1 МОм±0,02 МОм; 1 МОм±0,02 МОм (с выносным делителем 1:10);
Емкость С1-98 — 20пФ±2пФ; 12пФ (с выносным делителем 1:10).
Горизонтальное отклонение
Коэффициент развертки — 500 мс/дел., 200 мс/дел., 100 мс/дел., 50 мс/дел., 20 мс/дел., 10 мс/дел., 5 мс/дел.,2 мс/дел., 1 мс/дел., 500 мкс/дел., 200 мкс/дел., 100 мкс/дел., 50 мкс/дел., 20 мкс/дел., 10 мкс/дел., 5 мкс/дел., 2 мкс/дел., 1 мкс/дел., 500нс/дел., 200нс/дел., 100нс/дел.

Предназначен для визуального наблюдения и исследования электрических сигналов: напряжений от 0,02 В до 40 В в диапазоне частот 0 МГц-50 МГц без делителя 1:10; напряжений от 0,02В до 200В в диапазоне частот 0 МГц-35 МГц с делителем 1:10; временных интервалов от 0,04 х 10^-6с до 4,0 с.

Осциллограф C1-75

Вертикальное отклонение
Полоса пропускания: 0 – 250 МГц;
Коэффициент отклонения: 10 мВ/см – 1 В/см;
Время нарастания: 1,5 нс;
Погрешность: 3 %;
Входное сопротивление: 50 Ом;
Горизонтальное отклонение
Коэффициент развёртки: 20 нс/см – 0,1 с/см (с 10-кратной растяжкой);
Погрешность: 3 %;
Рабочая область экрана: 60×100 мм;
Скорость фотозаписи: 1500 км/c

Предназначен для исследования одного или двух сигналов с амплитудой 20 мВ-25 В и длительностью 8 нс-1 с в реальном масштабе времени. Малое время нарастания ПХ и большая яркость ЭЛТ позволяют успешно применять осциллограф при исследовании быстропротекающих процессов.

Персональный компьютер (8 шт.)

ЦП: Intel® Core™ i3 – 2105 CPU;
ОЗУ: 8 Гб;
ПЗУ: 700Гб;
ПО: MicroCap 12.

Используется для анализа и обработки исследовательских данных и проведения научно-исследовательской работы.