к.ф.-м.н., доцент

Основные научные интересы: контактные явления в неупорядоченных и кристаллических полупроводниках; методы исследования полупроводниковых барьерных структур; многослойные солнечные элементы.

Проводит лекционные, практические и лабораторные занятия по дисциплинам:

• Физические основы микро- и наноэлектроники.
• Интеллектуальные материалы и структуры электроники.
• Материалы электронной техники.
• Радиоматериалы и компоненты.
• Технология изделий микро- и наноэлектроники.

Специальность: высшее образование по специальности «Полупроводники и диэлектрики», специализация «Микроэлектроника», квалификация инженер электронной техники.

Повышение квалификации:

• «Использование средств информационных и коммуникационных технологий при реализации образовательных программ. Интерактивные сервисы сети интернет в образовании»,  24 часа, ФГБОУ ВО РГРТУ, удостоверение ПК № 0250283 от 03.06.2017 г.
• «Практико-ориентированные подходы в преподавании профильных ИТ-дисциплин», 144 часа, АНО ВО «Университет Иннополис», май 2021 г., удостоверение ПК № 160300004919 от 24.05.2021 г.
• «Трекерское сопровождение технологического стартап-проекта», 16 часов, РГРТУ, с 02.03.2023 по 06.03.2023 г., удостоверение №622414485124 от 06.03.2023

Стаж работы по специальности с 1999 г.

Награждён: 

• диплом за 4 место по результатам рейтинга доцентов РГРТУ за 2018 г.;
• диплом за 8 место по результатам рейтинга доцентов РГРТУ за 2021 г.

Наиболее значимые публикации:

1. N.V. Vishnyakov, S.P. Vikhrov, V.G. Mishustin et.al. The measurement of electric field distribution in the barrier structures based on disordered semi-conductors by using the transient photocurrent compensation method // Journal of nanoelectronics and optoelectronics, Vol. 9, No. 6. 773 – 777, 2014.
2. Д.В. Алмазов, С.И. Мальченко, В.Г. Мишустин, А.В. Ермачихин Программа управления измерительно-аналитическим комплексом для исследования тока нестационарной фотопроводимости // Свидетельство о государственной регистрации программ для ЭВМ №2015616811 от 24.06.2015
3. Н.В. Вишняков, Ю.В. Воробьев, В.Г. Мишустин и др. Развитие методов исследования полупроводниковых материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники // Вестник РГРТУ. 2017. № 60. С. 164 – 170.
4. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Исследование локализованных состояний в барьерных структурах элементов электроники на основе аморфного гидрогенизированного кремния // Радиотехника. 2017. № 5. С. 186-192.
5. Maslov A.D., Ermachikhin A.V., Bezuglaya E.V., Mishustin V.G., Vorobyov Y.V., Gudzev V.V. Spatial localization of dominating deep centers in multicrystalline silicon solar cells // 2018 7th Mediterranean Conference on Embedded Computing, MECO 2018 - Including ECYPS 2018, Proceedings. 7. 2018. С. 1-4.
6. Maslov A.D., Mishustin V.G., Piryugin A.V., Vishnyakov N.V. Physical model to calculate current-voltage characteristics of double-junction solar cells based on a-Si:H and a-SiC:H // 2018 7th Mediterranean Conference on Embedded Computing, MECO 2018 - Including ECYPS 2018, Proceedings. 7. 2018. С. 1-4.
7. Maslov A.D., Mishustin V.G., Romanov A.G., Vikhrov S.P., Vishnyakov N.V. Experimental method to measure built-in electric fields in multilayer barrier homo- and heterostructures // 12th International Conference ELEKTRO 2018, 2018 ELEKTRO Conference Proceedings. 12. 2018. С. 1-6.
8. Кострюков С.А., Липатова С.В., Мишустин В.Г. Разработка электронного блока для управления технологическим оборудованием // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2018. Сборник трудов международного научно-технического форума: в 11 томах. Под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2018. С. 127-132.
9. Мишустин В.Г., Романов А.Г. Модернизированная измерительная ячейка для исследования полупроводниковых барьерных структур // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2018. Сборник трудов международного научно-технического форума: в 11 томах. Под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2018. С. 133-138.
10. Пирюгин А.В., Мишустин В.Г. Моделирование вольт-амперных характеристик двухкаскадного солнечного элемента на основе A-Si:H и a-SiC:H // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2018. Сборник трудов международного научно-технического форума: в 11 томах. Под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2018. С. 84-90.
11. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Ермачихин А.В., Жилина Д.В., Литвинов В.Г., Маслов А.Д., Мишустин В.Г., Теруков Е.И., Титов А.С. Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 7. С. 787-791.
12. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Маслов А.Д., Мишустин В.Г., Романов А.Г. Измерение распределения встроенных электрических полей в полупроводниковых барьерных структурах // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2018. № 66-2. С. 23-29.
13. Мишустин В.Г., Назимов Д.Р. Метод CELIV: перспективы и особенности применения для исследования неупорядоченных полупроводников // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2020. Сборник трудов III Международного научно-технического форума : в 10 т.. Рязань, 2020. С. 109-112.
14. Gudzev V.V., Litvinov V.G., Mishustin V.G., Maslov A.D., Zubkov M.V. Experimental equipment to investigate deep energy levels in semiconductor barrier structures with high leakage current // 13th International Conference ELEKTRO 2020, ELEKTRO 2020 - Proceedings. 13. 2020. С. 9130257.
15. Мантья М.Ф., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Комплексное исследование электрофизических свойств барьерных структур на основе a-Si:H // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2021. Сборник трудов IV Международного научно-технического форума: в 10 т.. Рязань, 2021. С. 103-110.
16. Назимов Д.Р., Мишустин В.Г. Моделирование переходных процессов в полупроводниках в режиме CELIV измерения // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2021. Сборник трудов IV Международного научно-технического форума: в 10 т.. Рязань, 2021. С. 110-114.
17. Баскаков Н.А., Мишустин В.Г. Квантовомеханический расчет контакта металл-полупроводник // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2021. Сборник трудов IV Международного научно-технического форума: в 10 т.. Рязань, 2021. С. 62-65.
18. Баскаков Н.А., Мишустин В.Г. Определение электрофизических характеристик барьерных квантово-размерных структур // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2022. Сборник трудов V Международного научно-технического форума. В 10-ти томах. Под общей редакцией О.В. Миловзорова. Рязань, 2022. С. 109-112.