Комплекс для проведения электрофизических измерений

Включает в себя:
1. Токовый DLTS-спектрометр;
2. Электрометр Keithley 6517B/E (Входное сопротивление: >200ТОм. Напряжение от 10мкВ до 200В (погрешность 0,025%). Ток от 100аА до 20мА (0.1%). Сопротивление от 10 Ом до 200ТОм (0.125%). Заряд от 10фКл до 2мкКл (0.4%). Встроенный источник напряжения от 5мВ до 1000В (0.15%), а также измерители температуры: -25...+150 С (0.3%) и влажности: 0-100% (0.3%));
3. Криостат Janis CCS 400/204N с термоконтроллером LakeShore 335 и откачным постом с турбомолекулярным насосом Pfeiffer HiCube Eco 80 (Температурный режим 7-500 К, возможность подачи внешних излучений);
4. Генератор Tektronix AFG 3102;
5. Мультиметр (U,I,R,C) Rigol DM3051;
6. Прецизионный LCR Agilent E4980A (Частота измерительного сигнала 20 Гц - 2 МГц, базовая погрешность 0.05%, встроенный источник напряжения смещения 0-40В);
7. Осциллографы Tektronix TDS2022B, TDS2022С.

Предназначен для проведения:
Метода C-V характеристик - исследование профиля распределения концентрации носителей заряда в полупроводниковых микро- и наноструктурах, исследование электрофизических свойств МДП-структур, полупроводниковых структур с квантовыми ямами, точками;
Спектроскопии низкочастотного шума - определение спектральной плотности мощности в структурах на основе полупроводниковых материалов и металлов;
Метода токовой DLTS (CDLTS) - определение параметров дефектов с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводников, исследование полупроводниковых наногетероструктур;
Метода I-V характеристик - исследование механизмов токопрохождения в полупроводниковых структурах, исследование электрических свойств диэлектриков;
Метода исследования эффекта Холла - измерение концентрации, подвижности носителей заряда в полупроводниковых материалах.