к.ф.-м.н., доцент

Область научных интересов: физика неупорядоченных полупроводников, тонкопленочные технологии, технологии ГИМС, зондовые нанотехнологии.

Специальность: высшее образование, «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы»,  инженер электронной техники.

Стаж работы  по специальности с 2003 г.

Основные публикации:

1. Авачёв А.П., Вишняков Н.В., Уточкин И.Г., Мишустин В.Г. Тонкопленочные полевые транзисторы на неупорядоченных полупроводниках. Проблемы расчета и применения. / Вестник Рязанской государственной радиотехнической академии. 2004. Вып. 14. С. 83-87.
2. Авачёв А.П., Вихров С.П., Вишняков Н.В., Митрофанов К.В., Уточкин И.Г. Методика исследования плотности локализованных электрически активных состояний в тонких пленках неупорядоченных полупроводников с помощью атомно-силовой микроскопии // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2006. Вып. 19. С. 130-133.
3. Вихров С.П., Авачев А.П., Вишняков Н.В., Митрофанов К.В., Уточкин И.Г. Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок a-Si:H с помощью атомно-силового микроскопа // Вестник РГРТУ. Индекс №36023. Рязань, РГРТУ, №3 (выпуск 25), 2008. С. 66-71.
4. Авачев А.П., Алмазов Д.В., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Мишустин В.Г. Исследование контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников // Приложение к журналу Вестник РГРТУ. №4. Индекс №36203, Рязань. 2009. С.46-52
5. Митрофанов К.В., Авачёв А.П., Климов Н.С. Особенности температурных зависимостей электрических характеристик структур Ge2Sb2Te5, измеренных с использованием методов атомно-силовой микроскопии. Вестник РГРТУ. № 1 (выпуск 31). Индекс №36203. Рязань, 2010. C.64-68.