к.т.н., доцент

Почетный работник сферы образования Российской Федерации

 Руководитель Регионального центра зондовой микроскопии (РЦЗМ).

Основные научные интересы: физика неупорядоченных полупроводников и квантово-размерных структур на их основе, зондовая микроскопия, зондовые нанотехнологии.

Проводит лекционные, практические и лабораторные занятия по дисциплинам:

• Современные твердотельные датчики.
• Неупорядоченные полупроводники.
• Методы анализа наносистем.
• Наноэлектроника.
• Микро- и наносенсоры.

Специальность: высшее образование по специальности «Полупроводники и диэлектрики», специализация «Микроэлектроника», квалификация инженер электронной техники.

Повышение квалификации:

• «Мастер по созданию тестов в СДО Moodle», 36 часов, Частное профессиональное образовательное учреждение "Центр проффесионального и дополнительного образования ЛАНЬ", ноябрь 2021 г., удостоверение №782415391653 от 11.11.21
• «Основы организации информационной безопасности и защиты информации в условиях цифровизации высшего образования», 72 часа, (ПензГТУ) ФГБОУ ВО "Пензенский государственный технологический университет", с 05.12.2022 по 23.12.2022 г., удостоверение №582417002235 от 20.12.2022
• «Трекерское сопровождение технологического стартап-проекта», 16 часов, РГРТУ, с 02.03.2023 по 6.03.2023 г., №622414485097 от 06.03.2023

Стаж работы  по специальности с 1983 г.

Наиболее значимые публикации:

1. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Маслов А.А. Особенности формирования барьера в структурах металл - неупорядоченный полупроводник// Известия вузов, Сер. "Электроника", 2000, с. 48-54.
2. Vikhrov S.P., Vishnyakov N.V., Mishustin V.G., Maslov A.A. Time-of-Flight Technique for Investigation of Amorphous Chalcogenides and Barrier Structures on Their Base // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. Vol.3, No. 2, 2001. P. 407-410.
3. Вишняков Н.В., Вихров С.П., Мишустин В.Г., Маслов А.А. Анализ и уточнение математического аппарата для модифицированного времяпролетного метода// ФТП, 2002, том 36, вып. 4, с.433-436.
4. Vikhrov S.P., Vishnyakov N.V., Mishustin V.G., Popov A.A. Speciality of Poisson equation solution and calculation of barrier profile on the interface to non-crystalline semiconductor // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, Vol.5, No. 5, 2003, p. 1249-1254.
5. Вихров СП., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Авачев А.П., Уточкин И.Г., Попов А.А. Формирование потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках // Физика и техника полупроводников, Т. 39, вып. 10, 2005, С. 1189-1194.
6. Вихров С.П., Авачев А.П., Вишняков Н.В., Митрофанов К.В., Уточкин И.Г. Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок a-Si:H с помощью атомно-силового микроскопа // Вестник РГРТУ. Индекс №36023. Рязань, РГРТУ, №3 (выпуск 25), 2008. С. 66-71.
7. Вишняков Н.В., Локтюхин В.Н., Теруков Е.И. Организация научной и инновационной деятельности молодых исполнителей по направлению «Наноматериалы». // Учебное пособие (в 2-х книгах); под.ред. Гурова В.С., Вихрова С.П. - Книга 1. Методические рекомендации по организации участия студентов, аспирантов и молодых ученых в школах-семинарах по направлению «Наноматериалы». Рязань: РГРТУ, 2009. 40 с.
8. Локтюхин В.Н., Мальченко С.И., Михеев А.А. Организация научной и инновационной деятельности молодых исполнителей по направлению «Наноматериалы». // Учебное пособие (в 2-х книгах); под.ред. Гурова В.С., Вихрова С.П. - Книга 2. Методические материалы по подготовке и представлению (презентации) инновационных проектов студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноматериалы». Рязань: РГРТУ, 2009. 52 с.
9. Гуров В.С., Вихров С.П., Суворов Д.В., Вишняков Н.В., Гостин А.М. Реализация дистанционного доступа к комплексу исследовательского нанотехнологического оборудования // Вестник РГРТУ. №3 (Выпуск 29). Индекс №36203. Рязань, 2009. C. 70-74.
10. Алпатов А.В., Верин И.А., Вихров С.П., Вишняков Н.В., Кострюков С.А., Мишустин В.Г. Исследование контактных явлений в фотоэлектрических датчиках на основе наноструктурированных неупорядоченных полупроводников // Вестник РГРТУ. №4 (выпуск 30). Индекс №36203. Рязань. 2009. С. 58-62.
11. Авачев А.П., Алмазов Д.В., Вишняков Н.В., Гудзев В.В., Мишустин В.Г. Исследование контактных явлений в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников // Приложение к журналу Вестник РГРТУ. №4. Индекс №36203, Рязань. 2009. С.46-52.
12. Шувалов М.Ю., Гудзев В.В., Вишняков Н.В. Методика идентификации механизмов переноса носителей заряда в структуре Me-a-Si:H // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2019. Сборник трудов II международного научно-технического форума: в 10 т.. Под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2019. С. 110-113.
13. Malakhov A.A., Smirnova E., Vishnyakov N., Kholomina T.A., Willmot P. Identifying students' metacompetences during laboratory work on a unique scientific equipment // Handbook of Research on Engineering Education in a Global Context. Сер. "Advances in Higher Education and Professional Development" Hershey, 2019. С. 453-462.
14. Сазонов В.О., Вишняков Н.В., Воробьев Ю.В., Ермачихин А.В. Разработка макета измерительного комплекса для исследования спектральной зависимости квантовой эффективности солнечных элементов // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2019. Сборник трудов II международного научно-технического форума: в 10 т.. Под общ. ред. О.В. Миловзорова. 2019. С. 88-91.
15. Зеличенко Е.А., Гузеев В.В., Ковальская Я.Б., Гурова О.А., Кузьманин С.А., Назаров Е.А., Вишняков Н.В., Рыбин Н.Б. Влияние германия на свойства кальций-фосфатного покрытия титановых имплантатов // Химия в интересах устойчивого развития. 2019. Т. 27. № 5. С. 471-476.
16. Вишняков Н.В. Влияние локализованных состояний на эффективную высоту потенциального барьера "металл - аморфный гидрогенизированный кремний" // Радиотехника. 2019. Т. 83. № 11 (18). С. 71-79.
17. Вишняков Н.В., Вихров С.П., Толкач Н.М. Комплексная локальная диагностика тонкопленочной GST-структуры с фазовыми переходами // Радиотехника. 2019. Т. 83. № 11 (18). С. 80-87.
18. Маслов А.Д., Вишняков Н.В. Метод определения скоростей рекомбинации носителей заряда в активных слоях гетеропереходного солнечного HIT-элемента // Радиотехника. 2019. Т. 83. № 11 (18). С. 88-95.
19. Tolkach N.M., Lazarenko P.I., Vishniakov N.V., Maslov A.D. Reversible switching of phase state of Ge2Sb2Te5 material under optical pumping // Proceedings of the 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, EIConRus 2020. 2020. С. 2208-2211.
20. Tolkach N.M., Lazarenko P.I., Sherchenkov A.A., Vishnyakov N.V., Sudakova A.U., Nazimov D.R. Optical switching in multilayer structures based on Ge2Sb2Te5 // Journal of Physics: Conference Series. 7. Сер. "7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures" 2020. С. 012075.
21. Судакова А.Ю., Маслов А.Д., Вишняков Н.В. Моделирование барьерных структур полупроводникового фотоэлектрического преобразователя в программной среде Afors-Het // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2020. Сборник трудов III Международного научно-технического форума : в 10 т.. Рязань, 2020. С. 124-128.
22. Maslov A.D., Litvinov V.G., Ermachikhin A.V., Vishnyakov N.V., Gudzev V.V., Vikhrov S.P. INVESTIGATION of recombination centers in the active layers of HIT solar cells // 13th International Conference ELEKTRO 2020, ELEKTRO 2020 - Proceedings. 13. 2020. С. 9130315.
23. Vorobyov Y., Vishnyakov N., Ermachikhin A., Lazarenko P., Sherchenkov A., Kozyukhin S. Kinetics of volume and surface driven crystallization in thin films // Journal of Physics: Condensed Matter. 2020. Т. 32. № 35. С. 355401.
24. Трофимов Е.С., Судакова А.Ю., Толкач Н.М., Вишняков Н.В. Разработка измерительного стенда для исследования оптических характеристик тонкопленочных структур на основе системы Ge-Sb-Te // Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2021. Сборник трудов IV Международного научно-технического форума: в 10 т.. Рязань, 2021. С. 115-118.
25. Tolkach N.M., Yakubov A.O., Sherchenkov A.A., Vishnyakov N.V., Sudakova A.U., Trofimov E.S. Raman analysis of the crystallinity degree for the local regions in Ge2Sb2Te5 films after laser exposure at different parameters // Journal of Physics: Conference Series. 8. Сер. "8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2021" 2021. С. 012040.